P+F傳感器結構形式NBB10-30GM50-E2-V1

P+F傳感器結構形式NBB10-30GM50-E2-V1

工作電壓 7 ... 12 V
開關頻率 0 ... 1 Hz
電流消耗 
未檢測到金屬板 max. 1 mA
檢測到金屬板 ≥ 2.4 mA
環境溫度 -25 ... 70 °C (-13 ... 158 °F)

P+F傳感器結構形式NBB10-30GM50-E2-V1

接線類型 cable PVC , 15 m
導線截面積 0.34 mm2
外殼材料 PBT
感應面 PBT
外殼直徑 12 mm
防護等級 IP68 電纜 
彎曲半徑 > 10 x cable diameter

光電式接近開關
利用光電效應做成的開關叫光電開關。將發光器件與光電器件按一定方向裝在同一個檢測頭內。當有反光面（被檢測物體）接近時，光電器件接收到反射光后便在信號輸出，由此便可“感知”有物體接近。
其它型式
當觀察者或系統對波源的距離發生改變時，接近到的波的頻率會發生偏移，這種現象稱為多普勒效應。聲納和雷達就是利用這個效應的原理制成的。利用多普勒效應可制成聲波接近開關、微波接近開關等。當有物體移近時，接近開關接收到的反射信號會產生多普勒頻移，由此可以識別出有無物體接近

霍爾元件是一種磁敏元件。利用霍爾元件做成的開關，叫做霍爾開關。當磁性物件移近霍爾開關時，開關檢測面上的霍爾元件因產生霍爾效應而使開關內部電路狀態發生變化，由此識別附近有磁性物體存在，進而控制開關的通或斷。這種接近開關的檢測對象必須是磁性物體。